Equipamentos comuns aos processos de litografia

Litografia por feixe de elétrons – Raith e-LINE plus

  • Energia de feixe: até 30 keV;
  • Tamanho do feixe: ≤ 1.6 nm à 20 keV;
  • Corrente: 5 pA – 20 nA;
  • Velocidade de escrita: 0.125 Hz – 20 MHz;
  • Tamanho de amostra: ≤ 100 mm;
  • Disponibilidade de electron-resist tipo positivo

Prototipagem Direta – ML3 (DMO)

  • LED UV 385 nm;
  • Tamanho de substratos: cortes de 5x5mm até wafers de 100 mm de diâmetro;
  • Largura de linha mínima de 2 µm;
  • Layout em arquivo gerado por software tipo CAD.

Alinhadora de Máscaras – MJB3 (Karl Suss)

  • Fonte: Lâmpada de Mercúrio de alta pressão. Potência de 350 W. Espectro de 365 nm a 405 nm;
  • Tamanho de substratos: até wafers de 75 mm de diâmetro;
  • Necessita de máscaras para fotolitografia (não fornecidas pelo LNNano);
  • Resolução mínima 2 µm.

Alinhadora de Máscaras – EVG620 Series (EV Group)

  • Fonte: Lâmpada de Mercúrio de alta pressão. Exposição UV de 365 nm ou 405 nm;
  • Tamanho de substratos: wafers de até 100 mm de diâmetro;
  • Necessita de máscaras para fotolitografia (não fornecidas pelo LNNano).
  • Resolução mínima 5 µm.

Prototipagem Direta - µPG 101 (Heidelberg Instruments)

  • Fonte: Laser de alta potência com espectro de 405 nm;
  • Tamanho de substratos: wafer de até 100 mm de diâmetro;
  • Resolução: 5 µm.