Laboratório de Filmes Finos e Medidas Elétricas se dedica à produção de filmes finos, sua integração em dispositivos funcionais, e a caracterização elétrica destes. A infraestrutura disponível conta uma sala limpa (100 m2) com sistemas de deposição de filmes finos por vapor físico (PVD) via e-beam, deposição de óxidos por ALD (atomic layer deposition), sistema de etching por íons reativos (RIE), e processos de fotolitografia. O Laboratório conta ainda com instalações para deposição de filmes finos por dipcoating, spincoating, inkjet printing, e um sistema de Epitaxia por Feixe Molecular (MBE) para o crescimento de compostos monocristalinos III-V e heteroestruturas baseadas em As, Ga, Al, In e Si. As instalações para a caracterização elétrica de materiais e dispositivos incluem um PPMS (Physical Parameter Measurement System) Dynacool (1.8 K – 400K) com refrigerador de diluição (até 50 mK) e apto a trabalhar com campos magnéticos de até 14T, probe stations criogênicas e cryogenfree, analisadores de parâmetros semicondutores (Keithley 4200 SCS), potenciostatos, osciloscópios, amplificadores lock-in e demais instrumentos.​

Especificações:

• Fonte: 6 kV– 10 kV;
• Corrente: máx. 190 mA;
• Tamanho de amostra: ≤ 100 mm;
• Porta amostras aquecido: até 500°C;
• Câmara de deposição com capacidade de até 6 alvos;
• Pressão de trabalho na ordem de 1 x 10-7 Torr;
  Materiais permitidos: Cr, Au , Ti, Ni, Ag, NiFe, Ge, SiO, SiO2, entre outros sob consulta.

Especificações:

• Tamanho de amostra: ≤ 100 mm;
• Câmara de deposição com capacidade de até 4 alvos;
• Pressão de trabalho na ordem de 1 x 10-6 Torr;
• Duas fontes para deposição simultânea de dois materiais (controle de taxa de deposição monitora apenas um por vez);
  Materiais permitidos: Pc (Ftalocianina), CuPc, CoPc, FePc, F16CuPc, entre outros sob consulta.

Especificações:

• Tamanho de amostra: ≤ 100 mm.
  Processos disponíveis:
• Al2O3 – Deposição térmica (Precursor TMA);
• TiO2 – Deposição por plasma (Precursor TTIP);Câmara de deposição com capacidade de até 6 alvos;
• Pressão de trabalho na ordem de 1 x 10-7 Torr;
  Materiais permitidos: Cr, Ti, Ni, Ag, NiFe, Ge, SiO, SiO2, entre outros sob consulta.

Especificações:

• Fonte: DC
  Tamanho de amostra: Alguns mm até 6 wafers de 177 mm.
• Feixe de plasma de alta densidade;
• Permite sputtering reativo: gases de O2 e N2;
• 4 alvos rotativos manuais;
• Pressão de trabalho na ordem de 8 x 10-7 mbar;
  Materiais permitidos: Cr, Au , Ti, Ni, NiFe, Al, Cu, Pt, Pd, Wti, entre outros sob consulta.

Especificações:

• Fonte: 4 kV;
• Corrente: máx. 190 mA;
• Tamanho de amostra: ≤ 100 mm;
• Câmara de deposição com capacidade de até 2 materiais; Pressão de trabalho na ordem de 1 x 10-6 mbar;
  Materiais permitidos: Cr, Au , Ti, Al, Ni, Pt, Fe, SiO2 entre outros, sob consulta.

Especificações:

• Fonte: DC/RF
  Tamanho de amostra: até 76 mm.
• Aquecimento do porta amostras: até 600°C;
• Distância alvo-substrato: Variavél;
• Totalmente controlado por computador;
• Câmara de carregamento separada da principal;
• Deposição independente de até 5 materiais simultâneos;
• Permite sputtering reativo: gases de O2 e N2
  6 alvos montados de forma confocal
  Pressão de trabalho na ordem de 2 x 10-8 Torr
  Materiais permitidos: Cr, Au , Ti, Ni, NiFe, Al, Cu, Pt, Pd, Wti, Fe, Si, Ge, SiO2, TiO2, entre outros sob consulta.

Para deposições de Au é necessário a contrapartida do usuário.

Especificações:

• Pressão de fundo: ~ 1 × 10-10 mbar;
• Fontes: arsênio (As), gálio (Ga), silício (Si), alumínio (Al), índio (In);
• Sistema de difração de elétron refletidos de alta energia (RHEED) de 15 kV integrado ao sistema de aquisição de dados iRHEED;
• Feixe de hidrogênio para limpeza da superfície do substrato;
• Tamanho do substrato: máximo 2” de diâmetro.

Especificações:

• Temperatura: 50 mK – 4 K (Com refrigerador de diluição *)
  1.8 K – 400 K (Modo convencional);
• Tipos de caracterização: ETO (medida elétrica), Calor Específico;
• Campo magnético: 0 a ± 14 T;
• Tamanho de amostra: ≤ 8 mm
  ≤ 3 mm (para calor específico).

Especificações:

• Módulo de interface dielétrica disponível: 10 μHz to 32 MHz, ± 40 V
• Impedância: 100 Ω to > 100 TΩ (1014Ω)
• Capacitância:1 pF to >0.1 F
• Tensão máxima DC: ± 40.95 V
• Corrente máxima: ± 100 mA
• Resolução máxima: 10 mV / 200 μA
• FRA: 10 μHz to 32 MHz

Especificações:

• Tamanho de amostra: ≤ 12 mm x 3 mm x 12 mm (L x A x P);
• Até 6 contatos elétricos;
• Medida de Van der Paul;
• Medida por Hall Bar;
• Temperatura: 80 K (com nitrogênio líquido)
  300 K

Especificações:

• Analisador de parâmetros
• 4 SMUs – 2x 4210-SMU and 2x 4200-PA
• Fonte de corrente: Máx 1A, Min 1fA
• Fonte de tensão: Máx 210V, Min 5 µV
• Módulo disponível: 4210 – CVU
• Frequência: 1 kHz até 10 MHz (frequência fixa)
• Saida AC: 10 mV até 100 mV RMS
• Saida DC: +/-30 VDC

Especificações:

• Conexões do eletrodo: 2, 3 e 4;
• Medições voltamétricas, amperométricas, galvanostáticas e impedimétricas;
• Faixa de potencial: +/- 10 V;
• Tensão de conformidade: +/- 30 V;
• Corrente máxima: +/- 2 A;
• Faixas de corrente: 1 A a 10 nA (100 pA com módulo ECD);
• Interface para PC: USB;
• Software de controle: NOVA;
• Módulos extras: FRA32M e ECD;
• FRA / EIS: 10 μHz a 1 MHz.

Especificações:

• Tamanho de amostra: Até 100 mm;
• Lentes disponíveis (microscópio óptico convencional): 5x, 10x, 20x, 50x, 100x e 150x;
• Software para medições e fotografias;
• Operação manual;
• Disponível dentro das salas limpas para inspeção de amostras em fase de processamento.

Especificações:

• Limpeza orgânica com cascata de acetona;
• Limpeza orgânica com solução piranha;
• Limpeza RCA;
• Banho ultrassônico;
• Água deionizada em todas as pias;
• Pistolas de N2 disponíveis em todas as capelas.

Especificações:

• Tamanho de substratos: Até wafers de 100 mm de diâmetro;
• Velocidade máxima: 8.000 rpm;
• Vácuo: Venturi (Amostras pesadas devem ser rotacionadas com velocidade menor – risco de serem arremessadas).

Especificações:

• Temperatura : até 320°C;
• Gases disponíveis: Ar, N2.

Especificações:

• Laser pulsado de Nd:YAG, pulsos de 6 ns.
• Comprimentos de onda / potência:
• Verde (Green High): λ = 532 nm @ 1.29 mJ
• Verde (Green Low): λ = 532 nm @ 0.31 mJ
• Ultravioleta (UV High): λ = 355 nm @ 0.42 mJ
• Ultravioleta (UV High): λ = 355 nm @ 0.11 mJ
• Abertura quadrada de 1 a 47.9 μm de spot
• Frequências de até 50 Hz (pulsos/s)
• Tamanho de amostra até 100 x 100 x 30 mm (L, C, A)
• Remoção de filmes finos de metais e óxidos
• Estruturas detalhadas podem ser feitas através de arquivos .dxf