Microscopia Eletrônica

Microscópio eletrônico de transmissão, duplamente corrigido e monocromado, com resoluções até 0,6 Ångströms e duas voltagens de aceleração de elétrons (80 kV e 300 kV), para operar nos modos TEM e STEM e analisar uma variedade de amostras segundo a sua sensibilidade ao feixe de elétrons. Conta com quatro detectores de EDS, para realizar mapeamentos por espectroscopia de raios X por dispersão em energia, em alta resolução e em poucos minutos de coleta. Possui quatro detectores diferentes de STEM (HAADF, DF-convencional, DF-segmentado e BF), para obter imagens de alta resolução segundo o número atômico ou por contraste de fase. Dispõe também de uma câmera CMOS 4kx4k, com registro dinâmico e dois porta-amostras in situ: um de aquecimento, para aumento da temperatura a partir da ambiente até 1300 °C, específico para amostras de nanopartículas e lamelas preparadas por FIB; e um porta-amostras de célula líquida, para analisar estruturas e processos dinâmicos de materiais e amostras biológicas em ambientes líquidos, no modo estático ou em fluxo de líquido.    

Modos de Imagens:

CTEM; HRTEM; BF-TEM; DF-TEM; NCSI-HRTEM (Negative Cs Imaging); BF-HRSTEM; ABF-HRSTEM; ADF-HRSTEM; HAADF-HRSTEM; DPC-HRSTEM; mono-HRTEM; mono-HRSTEM; Lorentz.

Modos de Difrações de Elétrons:

SAED; NBD; CBED; PDF; 4D-STEM.

Classe(s) de Espectroscopia(s):

EDS como resolução atômica.

Outras Técnicas Disponíveis:

TEM e STEM in situ de aquecimento para nanopartículas e lamelas por FIB; TEM e STEM in situ de fases líquidas; tomografia de elétrons por TEM e STEM; criomicroscopia.

Microscópio eletrônico de varredura com canhão de elétrons FEG Schottky e tensão de aceleração entre 500 V e 30 kV. Permite aquisição de imagens de elétrons secundários (SE), retroespalhados (BSE) e transmitidos (STEM), com resoluções de 1.2 nm, 3.0 nm e 0.8 nm respectivamente. Pode operar em modos de alto vácuo (HV), baixo vácuo (LV) e ambiental (ESEM), permitindo analisar uma grande variedade de materiais metálicos, cerâmicos, poliméricos, semicondutores e biológicos, além de amostras úmidas, líquidas e não-condutivas.  Possui detectores para espectroscopia de raios X dispersiva em energia (EDS), difração de elétrons retroespalhados (EBSD), limpeza por plasma para remoção de contaminação de carbono e dispositivo de aquecimento para experimentos in situ em temperaturas de até 1000 °C.

AQUISIÇÃO DE IMAGENS 

SE (Elétrons Secundários); BSE (Elétrons Retroespalhados); STEM (Elétrons transmitidos no modo transmissão em varredura – BF, DF e HAADF).

ANÁLISE QUÍMICA

EDS (Espectroscopia de raios X por dispersão em energia).

ANÁLISE CRISTALOGRÁFICA

EBSD (Difração de elétrons retroespalhados); TKD (Difração de Kikuchi em modo transmissão).

OUTRAS TÉCNICAS DISPONÍVEIS

LV (Microscopia eletrônica de varredura em modo baixo vácuo); ESEM (Microscopia eletrônica de varredura em modo ambiental); Estágio de aquecimento para experimentos de aquecimento in situ até 1000 °C; Plasma Cleaner Integrado. 

Microscópio eletrônico de varredura com canhão de elétrons FEG Schottky e tensão de aceleração entre 500 V e 30 kV. Permite aquisição de imagens de elétrons secundários (SE), retroespalhados (BSE) e transmitidos (STEM), com resoluções de 1.0 nm, 2.5 nm e 0.8 nm respectivamente. Opera somente em modo de alto vácuo (HV), mas permite analisar com alta resolução uma grande variedade de materiais, tais como metais, cerâmicas, polímeros e semicondutores. Possui detector para espectroscopia de raios X dispersiva em energia (EDS).

AQUISIÇÃO DE IMAGENS 

SE (Elétrons Secundários); BSE (Elétrons Retroespalhados); STEM (Elétrons transmitidos no modo transmissão em varredura – BF, DF e HAADF). 

ANÁLISE QUÍMICA 

EDS (Espectroscopia de raios X por dispersão em energia). 

Microscópio eletrônico de duplo feixe que combina um microscópio eletrônico de varredura (SEM) com um microscópio de feixe de íons focalizado (FIB). Possui canhão de elétrons FEG Schottky com tensão de aceleração entre 20 V e 30 kV e canhão de íons de gálio com tensão de aceleração entre 500 V e 30 kV. Permite aquisição de imagens de elétrons secundários (SE), retroespalhados (BSE) e transmitidos (STEM), com resoluções de até 0.6 nm. Possui nanomanipulador, lente de imersão, monocromador, sistema de injeção de gases (GIS) para deposição de materiais, dispositivos de limpeza de amostras por plasma e criogênico, e detectores para espectroscopia de raios X dispersiva em energia (EDS) e difração de elétrons retroespalhados (EBSD). É um equipamento extremamente versátil que permite análises com altíssima resolução (XHR), nano fabricação, preparação de amostras ultrafinas para microscopia eletrônica de transmissão e reconstruções 3D por cortes sequenciais.

AQUISIÇÃO DE IMAGENS 

SE (Elétrons Secundários); BSE (Elétrons Retroespalhados); STEM (Elétrons transmitidos no modo transmissão em varredura – BF, DF e HAADF). 

ANÁLISE QUÍMICA 

EDS (Espectroscopia de raios X por dispersão em energia). 

ANÁLISE CRISTALOGRÁFICA 

EBSD (Difração de elétrons retroespalhados); TKD (Difração de Kikuchi em modo transmissão). 

TÉCNICAS FIB (FOCUSED ION BEAM). 

Nano fabricação e Análise de Cortes Transversais; Deposição de nanoestruturas (Pt, TEOS, C); Preparação de amostras ultrafinas para TEM (FIB-Lamela); Reconstruções 3D por cortes sequenciais (Tomografia FIB).