CORROSÃO

O processo de corrosão consiste na remoção de material de um substrato. Esta técnica é muito utilizada na fabricação de dispositivos eletromecânicos, ópticos, processadores, memórias, entre outros. Existem dois tipos de processos que são conhecidos como wet etching, ou corrosão por via úmida, e dry etching, ou corrosão por via seca. Estes dois tipos produzem efeitos de anisotropia  diferentes, na maioria dos casos. O processo de corrosão seca pode ser conduzido por remoção física, também conhecido como sputtering, pela remoção química, também conhecido como etching ou pela combinação dos dois. É possível controlar a taxa de corrosão (Å) por meio dos parâmetros como pressão (torr), temperatura (°C) e potência (W).

Plasma de O2

É possível também realizar processos de remoção de material orgânico por meio de plasma de oxigênio. Neste caso íons de oxigênio reagem com a matéria orgânica presente na superfície da amostra. Este processo é amplamente utilizado para limpezas de amostras antes e depois de processos de fotolitografia, bem como para processos de selagem de dispositivos microfluídicos baseados em polímeros (PDMS).

Equipamentos

Corrosão por via úmida

  • Corrosão com ácido fluorídrico (HF);
  • Limpeza com solução Piranha;
  • Limpeza RCA.

ATC ORION SERIES Ion Milling – AJA Internation, Inc.

  • Tamanho de amostra: Até 100 mm de diâmetro;
  • Gás: Argônio;
  • Fonte: Kaufman KDC 75;
  • Tensão de operação: 100 – 1200 V;
  • Temperatura: 5°C a 40°C.

RIE – Plasma Pro NGP80 – Oxford Instruments

  • Tamanho de substratos: É possível corroer amostras de 8 mm x 8 mm até wafers de 100 mm de diâmetro;
  • Gases disponíveis: CF4, SF6, CHF3, O2, Ar;
  • Na configuração de plasma por indução (ICP-RIE), o tamanho máximo da amostra é 50 mm;
  • Sistema dedicado à corrosão de Silício.

Corrosão por plasma capacitivo – Diener

  • Gases disponíveis: O2, Ar, N2;
  • Tamanho de substrato: ≥ 100 mm;
  • Frequência: 100 kHz e 13.56 MHz;
  • Potência: 0 – 500 W (100 kHz)
    0 – 300 W (13.56 MHz).

Corrosão por plasma capacitivo

  • Gases disponíveis: O2, Ar, N2;
  • Tamanho de substrato: ≥ 100 mm;
  • Frequência: 100 kHz e 13.56 MHz;
  • Potência: 0 – 300 W (13.56 MHz).